0-50Pa单片硅基SOI超低微压传感器的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN200810024191.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101290255B | 公开（公告）日 | 2011-08-24 |
| 申请公布号 | CN101290255B | 申请公布日 | 2011-08-24 |
| 分类号 | G01L1/18(2006.01)I;G01L9/06(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 沈绍群 | 申请（专利权）人 | 无锡市纳微电子有限公司 |
| 代理机构 | 无锡盛阳专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 顾吉云 |
| 地址 | 214028 江苏省无锡市新区长江路7号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明为0-50Pa单片硅基SOI超低微压传感器。其具有较高的灵敏度和线性度，耐高温、工艺简单，适宜于大规模生产，为此，本发明还提供了传感器的加工方法。其芯片包括硅衬底(1)，在硅衬底的两面覆盖有绝缘层(2)，绝缘层(2)表面约0.3微米的单晶硅薄膜生成电阻(3)，内引线(4)与电阻(3)连接；芯片背面的开口内制作有背岛(7)或无背岛的平膜；在背岛和边框之间为氮化硅和二氧化硅复合弹性膜(8)。取单晶硅作衬底(1)，然后在衬底背面刻出开口(6)；对硅片正面进行氧离子注入、对硅片进行退火处理，形成二氧化硅绝缘层和单晶硅薄膜，在正面热生长氧化层、P型导电层、然后在硅片正面形成电阻区(3)和内引线热压脚区(4)，而正面其它区域的单晶硅薄膜被腐蚀掉，暴露出二氧化硅层；让硅片正反面淀积的氮化硅薄膜与正面的二氧化硅组成互补的复合膜绝缘层。 |
