一种MEMS压力敏感芯片及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201010102073.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101776501B | 公开（公告）日 | 2014-08-06 |
| 申请公布号 | CN101776501B | 申请公布日 | 2014-08-06 |
| 分类号 | G01L9/06(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 王树娟;周刚;陈晓亮;陈会林;郭玉刚 | 申请（专利权）人 | 无锡市纳微电子有限公司 |
| 代理机构 | 无锡盛阳专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 顾吉云 |
| 地址 | 214028 江苏省无锡市新区长江路7号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明为一种MEMS压力敏感芯片。其能有效提高芯片灵敏度，提高芯片的成品率。其包括硅片、真空腔、玻璃基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件、对准标记组件，其特征在于：所述硅片正反面的四角分别设置有对准标记结构，所述硅片的正面的最大应力线性区为敏感电阻排布区，敏感电阻排布区形状为矩形，所述敏感电阻排布区内包括压敏电阻、P+连接、N+隔离槽、铝电极，所述压敏电阻具体为两对桥接电阻，所述每个桥接电阻包括一对敏感电阻，所述敏感电阻具体为直线电阻，所述每对桥接电阻的桥接电阻分别对称排布于所述敏感电阻排布区四边的两对边，所述每个桥接电阻被所述N+隔离槽包围。 |
