0-100Pa单片硅基SOI高温低漂移微压传感器及其加工方法
基本信息
| 申请号 | CN200810024192.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101289160B | 公开（公告）日 | 2011-08-24 |
| 申请公布号 | CN101289160B | 申请公布日 | 2011-08-24 |
| 分类号 | G01L1/18(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 沈绍群 | 申请（专利权）人 | 无锡市纳微电子有限公司 |
| 代理机构 | 无锡盛阳专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 无锡市纳微电子有限公司;淮安纳微传感器有限公司 |
| 地址 | 214028 江苏省无锡市新区长江路7号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明为0～100Pa单片硅基SOI超低微压传感器。其具有较高的灵敏度和线性度，耐高温、工艺简单，工艺一致性好，生产成本低、适宜于大规模生产，为此，本发明还提供了传感器的加工方法。其芯片包括一个N型或P型硅衬底(1)，在硅衬底的两面覆盖有绝缘层(2)，绝缘层(2)表面淀积多晶硅层(3)；在多晶硅层表面为二氧化硅层(4)；二氧化硅层(4)表面为多晶硅薄膜层；多晶硅薄膜层生成多晶硅力敏电阻(5)，掺浓硼的多晶硅内引线(6)与电阻(5)连接；在多晶硅内引线(6)表面覆盖铝引线(7)；芯片背面具有方形开口(10)；取单晶硅作衬底(1)，然后在衬底通过光刻、淀积、离子束机注入、退火处理、通干氧-湿氧-干氧、光刻和TMAH湿法腐蚀或RIE干法刻蚀技术、光刻、浓硼扩散、正面蒸镀铝膜、引出焊脚、湿法腐蚀等工艺加工。 |
