一种掺杂锰酸锂及其制备方法、应用
基本信息
| 申请号 | CN202110739954.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113517439A | 公开（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申请公布号 | CN113517439A | 申请公布日 | 2021-10-19 |
| 分类号 | H01M4/58（2010.01）I;H01M10/0525（2010.01）I;H01M10/42（2006.01）I;C01G45/12（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 方刚;赵孝连;杨亮亮;陈月升;蒋凯;闵婷 | 申请（专利权）人 | 高点（深圳）科技有限公司 |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人 | 潘俊达 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区西丽街道创盛路1号康和盛大楼新能源产业园2A楼219室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于材料合成技术领域，尤其涉及一种掺杂锰酸锂的制备方法，包括步骤：S1，先利用可溶性锰盐制备粒径分布可控的锰系前驱体，将掺杂物质与锰系前驱体均匀混合得到混合物A；或者将可溶性锰盐和掺杂物质直接混合，以此制备含有粒径分布可控的锰系前驱体和掺杂物质的混合物A；S2，对混合物A进行预处理；S3，将预处理后的混合物A与锂盐混合，得到混合物B；S4，将混合物B在空气或者氧化性气氛中升温进行固相烧结反应，得到粒径可控的掺杂锰酸锂。另外，本发明还涉及一种掺杂锰酸锂及其在锂离子电池中的应用。相比于现有技术，本发明制得球形单晶锰酸锂，抑制锰酸锂材料中（111）晶面的生长，改善锰酸锂材料的性能。 |
