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功率型氮化镓基发光二极管芯片

基本信息

申请号 CN200720096313.7 申请日 -
公开（公告）号 CN201060874Y 公开（公告）日 2008-05-14
申请公布号 CN201060874Y 申请公布日 2008-05-14
分类号 H01L33/00(2006.01) 分类 基本电气元件;
发明人 牛萍娟;李艳玲;李晓云;刘宏伟;王小丽 申请（专利权）人 唐山曹妃甸工大海宇光电科技股份有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 300160天津市河东区成林道63号天津工业大学
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型属于半导体芯片结构技术领域，涉及一种功率型氮化镓基发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底、依次制作在其正面的N型氮化镓层、多量子阱、P型氮化镓层，其特征在于，所述蓝宝石衬底的背面刻有削顶的周期性三角倒金字塔微结构；P型氮化镓层的表面腐蚀有具有六角倒金字塔凹陷的微小绒面，并制作有5～50nm接触电极Ni/Au和600～2000nm反射金属Ag，在Ag反射金属上制作有Ni/Au P型电极；在N型氮化镓层上制作有Ti/Al/Ni/Au N型电极。本实用新型克服了p－GaN与空气界面对光的全内反射，增强光从芯片背面的出射几率。