功率型氮化镓基发光二极管芯片
基本信息
| 申请号 | CN201720353997.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN206610823U | 公开（公告）日 | 2017-11-03 |
| 申请公布号 | CN206610823U | 申请公布日 | 2017-11-03 |
| 分类号 | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 牛萍娟;李艳玲;李晓云;刘宏伟;王小丽 | 申请（专利权）人 | 唐山曹妃甸工大海宇光电科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 | 代理人 | 唐山曹妃甸工大海宇光电科技股份有限公司 |
| 地址 | 063200 河北省唐山市曹妃甸工业区高新技术产业园标准厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种功率型氮化镓基发光二极管芯片，包括钇铝石榴石衬底，其上端和下端分别设有周期性三棱台型的微凸结构；在钇铝石榴石衬底的下端设有N型氮化镓层，且位于钇铝石榴石衬底下端的微凸结构伸入N型氮化镓层内；增透层，其包裹在钇铝石榴石衬底的上端及四周侧壁上，增透层高折射率绝缘层和低折射率绝缘层交替堆叠；增透层的总厚度为1200埃‑7200埃。本实用新型所述的功率型氮化镓基发光二极管芯片，结构简单，出光率高。 |
