图像传感器像素结构

基本信息

申请号 CN202010779476.5 申请日 -
公开(公告)号 CN111757026B 公开(公告)日 2022-06-21
申请公布号 CN111757026B 申请公布日 2022-06-21
分类号 H04N5/355;H04N5/374 分类 电通信技术;
发明人 黄金德;王林;胡万景 申请(专利权)人 锐芯微电子股份有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 张凤伟;吴敏
地址 215300 江苏省苏州市昆山市开发区伟业路18号现代广场A座508-511室
法律状态 -

摘要

摘要 一种图像传感器像素结构。所述像素结构包括:光电转换电路、传输电路、开关电路、复位电路、第一电容及电荷泄放电路;其中:所述电荷泄放电路,耦接于所述第一电容及所述电源电压输出端之间,适于至少两个第二开关控制信号的控制下,将所述第一电容溢出的电荷泄放至所述电源电压输出端;所述至少两个第二开关控制信号具有不同的控制电压。应用上述方案,可以提高CMOS图像传感器的性能。