一种晶片清洗方法
基本信息
| 申请号 | CN201310657596.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103639149B | 公开（公告）日 | 2016-01-06 |
| 申请公布号 | CN103639149B | 申请公布日 | 2016-01-06 |
| 分类号 | B08B3/12(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I;B08B3/02(2006.01)I;B08B3/04(2006.01)I | 分类 | 清洁; |
| 发明人 | 徐伟平;刘树奇;亓凯 | 申请（专利权）人 | 山东百利通亚陶科技有限公司 |
| 代理机构 | 济南诚智商标专利事务所有限公司 | 代理人 | 山东百利通亚陶科技有限公司 |
| 地址 | 250101 山东省济南市高新区开拓路2333号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种晶片清洗方法，包括以下步骤：采用酸性清洗剂进行清洗；采用碱性清洗剂进行清洗；采用纯水进行清洗；采用无水乙醇进行清洗；对清洗后的晶片进行烘烤；对清洗后的晶片进行除静电处理。本发明先通过化学反应去除晶片表面的大部分污物及氧化层，再通过流水冲去表面大部分的清洗剂，然后进行纯水超声波清洗，无水乙醇超声波清洗和晃洗彻底清除剩余的细微污物和清洗剂，最后清洗采用无水乙醇，变干；清洗完毕后，通过高温和微波烘烤，使晶片堆的内外都变得干燥，最后去除晶片静电；本发明通过实践，得出每一步的最佳清洗时间，使清洗时间缩短，清洗效果好，而且，本晶片清洗的方法成本较低，处理效果好，适于推广。 |
