一种太阳能硅片清洗方法、硅片、电池、组件及清洗系统

基本信息

申请号 CN202011399155.9 申请日 -
公开(公告)号 CN112420494A 公开(公告)日 2021-02-26
申请公布号 CN112420494A 申请公布日 2021-02-26
分类号 H01L21/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李建弘;危晨;刘涛;赵越;唐昊 申请(专利权)人 天津市环智新能源技术有限公司
代理机构 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 代理人 栾志超
地址 300450天津市滨海新区塘沽海洋科技园康祥道32号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种太阳能硅片清洗方法,对硅片进行药液清洗和氧化清洗之前,对硅片依次进行低温氧化清洗和氧化去除,其中,在进行低温氧化清洗时,采用低温氧化溶液对硅片进行清洗,在硅片表面形成氧化层;在进行氧化去除时,采用酸溶液对硅片进行清洗,去除硅片表面氧化层。本发明的有益效果是在低温环境下对硅片进行清洗,降低金属离子在硅片中的扩散速度,减少硅片金属离子含量,提高硅片少数载流子寿命,提高硅片性能,提升太阳能电池转换效率。