一种OLED器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110696223.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113421984A | 公开（公告）日 | 2021-09-21 |
| 申请公布号 | CN113421984A | 申请公布日 | 2021-09-21 |
| 分类号 | H01L51/50（2006.01）I;H01L51/54（2006.01）I;H01L51/56（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 宝庆云;魏斌;严利民;王堂;马瑞明;朱才华 | 申请（专利权）人 | 上海晶合光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京高沃律师事务所 | 代理人 | 韩雪梅 |
| 地址 | 200120上海市浦东新区龙东大道6101号9幢二楼西区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种OLED器件及其制备方法。该OLED器件包括：由下到上依次排布的基板层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、载流子产生层和金属电极；所述载流子产生层包括MoO3掺杂层和Ag掺杂层。所述MoO3掺杂层与所述Ag掺杂层不存在碱金属离子，因此不会由于碱金属离子扩散进入发光层而引起器件失效，从而大幅提升了OLED器件的寿命和稳定性。并且本发明采用了倒置结构，将对水氧敏感的电子传输材料置于OLED器件的下方，减少其接触水氧的几率，由此减缓OLED器件的材料失效，进而提高OLED器件的使用寿命。 |
