一种高功率的水平阵列式半导体激光器

基本信息

申请号 CN201921223322.7 申请日 -
公开(公告)号 CN211295697U 公开(公告)日 2020-08-18
申请公布号 CN211295697U 申请公布日 2020-08-18
分类号 H01S5/40(2006.01)I 分类 -
发明人 马永坤;李军;席道明;陈云;吕艳钊;魏皓 申请(专利权)人 度亘天元激光科技(丹阳)有限公司
代理机构 南京源古知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 江苏天元激光科技有限公司
地址 212300江苏省镇江市丹阳市高新技术产业集中区8号
法律状态 -

摘要

摘要 一种高功率的水平阵列式半导体激光器,包括上压块、下压块、激光器单元、电极连接片、正极片、负极片、外冷却片、防护板;上压块、下压块设置于激光器单元两侧,呈对称设置;激光器单元设置于两个压块之间,单个激光器单元包括芯片、里冷却片、绝缘片、负极连接片;电级连接片设置于激光器单元两侧;正极片设置于一端激光器单元的底面;负极片设置于一端激光器的顶面;外冷却片设置于每侧电极连接片外侧;防护板分别贴合于上压块、下压块一侧,呈对称设置。本实用新型电极连接片的制造工艺难度,制造成本低,散热性能好,换热效率高,保证激光器可处于高性能运行状态。