多片沉积PECVD非晶硅薄膜反应盒的电极板及非晶硅薄膜沉积方法
基本信息
| 申请号 | CN201510164849.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104775106B | 公开（公告）日 | 2017-08-08 |
| 申请公布号 | CN104775106B | 申请公布日 | 2017-08-08 |
| 分类号 | C23C16/513(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 田啟隆;甄永泰;刘佳 | 申请（专利权）人 | 山东禹城汉能薄膜太阳能有限公司 |
| 代理机构 | 济南泉城专利商标事务所 | 代理人 | 山东禹城汉能薄膜太阳能有限公司;汉能移动能源控股集团有限公司 |
| 地址 | 251200 山东省德州市禹城市高新区振兴大道汉能光伏产业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种多片沉积PECVD非晶硅薄膜反应盒的电极板，电极板体用于承载PECVD基片的侧表面外形轮廓不大于PECVD基片的外形轮廓，电极板体前后两端分别通过活动连接装置安装有边缘端盖。由于PECVD基片将电极板体侧表面覆盖住，因此镀膜工艺中会将膜层镀到两侧的两个边缘端盖上，而电极板体不会附着镀膜层。当镀膜工艺完成后，将边缘端盖从电极板体上拆卸，然后将边缘端盖上的膜层进行清洗，清洗完毕后再安装到原电极板体上。因此可以减少硅粉在反应盒电极板和镀膜芯片的附着，有效增加反应盒的使用次数，降低清洗清洁的劳动强度，提高反应盒的利用率，并提高镀膜质量。 |
