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一种砷化镓晶片及其制备方法

基本信息

申请号 CN201811619886.2 申请日 -
公开（公告）号 CN111379027A 公开（公告）日 2020-07-07
申请公布号 CN111379027A 申请公布日 2020-07-07
分类号 C30B29/42(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 任殿胜;朱颂义;赵波;王建利;刘岩;崔杨洲;张春宇 申请（专利权）人 北京通美晶体技术股份有限公司
代理机构 北京北翔知识产权代理有限公司 代理人 北京通美晶体技术有限公司
地址 101113北京市通州区工业开发区东二街四号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种砷化镓晶片，所述晶片表面的硫含量低于2×1015原子/cm3，优选低于5×1014原子/cm3，所述晶片表面的硫含量通过本发明说明书实施例中第III部分定义的检测方法进行测定。本发明还涉及所述砷化镓晶片的制备方法，包括以下步骤：1)使用酸或碱溶液对晶片表面进行浸泡清洗；2)对晶片进行化学机械抛光；3)抛光后，使用氧化剂对晶片表面进行氧化；4)对晶片经过碱溶液处理，随后用去离子水清洗；5)对晶片经过SC‑1溶液处理，随后用去离子水清洗；6)干燥所得晶片；7)再次使用氧化剂对晶片表面进行处理；8)氮气或真空包装。