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半导体衬底中的可控氧浓度

基本信息

申请号 CN202010275519.6 申请日 -
公开（公告）号 CN111455451A 公开（公告）日 2020-07-28
申请公布号 CN111455451A 申请公布日 2020-07-28
分类号 C30B11/00;C30B11/14;C30B29/40;C30B29/42;C30B29/44;C30B33/02;H01L21/322;H01L21/324;H01L29/207;H01L29/36 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 莫里斯·杨;戴维斯·张;刘文森;王元立 申请（专利权）人 北京通美晶体技术股份有限公司
代理机构 北京北翔知识产权代理有限公司 代理人 王媛;钟守期
地址 101113 北京市通州区工业开发区东二街四号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种控制III‑V族化合物半导体衬底中的氧浓度的方法，包括：在密闭容器中放置多个III‑V族化合物半导体衬底；并在所述密闭容器中放置预定量材料，用以调控密闭容器中单晶衬底中的氧浓度。所述预定量的材料对氧具有高度的化学反应性。所述方法还包括保持所述容器内的预定空气压力，以及对所述多个III‑V族单晶衬底进行退火，促使所述预定压力空气内的氧原子在所述晶体衬底中进行扩散而产生可控制的氧浓度。所述III‑V族化合物半导体衬底中的氧浓度由所述预定量的材料来调控。