锗单晶片、其制法、晶棒的制法及单晶片的用途
基本信息
| 申请号 | CN201910483748.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110202419A | 公开（公告）日 | 2019-09-06 |
| 申请公布号 | CN110202419A | 申请公布日 | 2019-09-06 |
| 分类号 | B24B1/00;B24B9/06;B28D5/00;C30B11/02;C30B29/08;H01L29/06;H01L29/16 | 分类 | 磨削；抛光; |
| 发明人 | 拉贾拉姆·谢蒂;王元立;刘卫国;周雯婉;朱颂义 | 申请（专利权）人 | 北京通美晶体技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘文静;钟守期 |
| 地址 | 101113 北京市通州区工业开发区东二街四号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及锗单晶片，其包含原子浓度为3×1014atoms/cc至10×1018atoms/cc的硅、原子浓度为1×1016atoms/cc至10×1018atoms/cc的硼以及原子浓度为1×1016atoms/cc至10×1019atoms/cc的镓。本发明还涉及该锗单晶片的制法、锗单晶棒的制法，以及涉及锗单晶片用于增加太阳能电池开路电压的用途。本发明的获得的锗单晶片具有改进的电学性能，特别是具有更小的电阻率差和载流子浓度差。 |
