背面有凹坑的磷化铟晶片、制法和制备其的腐蚀液
基本信息
| 申请号 | CN201710612344.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109290875A | 公开（公告）日 | 2021-06-22 |
| 申请公布号 | CN109290875A | 申请公布日 | 2021-06-22 |
| 分类号 | B24B7/22;B24B37/10;C30B33/10;C30B29/40 | 分类 | 磨削；抛光; |
| 发明人 | 王留刚;李海淼;朱颂义 | 申请（专利权）人 | 北京通美晶体技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王媛;钟守期 |
| 地址 | 101113 北京市通州区工业开发区东二街四号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种{100}磷化铟（InP）晶片，其背面分布有凹坑，其中背面凹坑的突起的最大维度为65微米，凹坑的最大深度为6.0微米。本发明还涉及该{100}磷化铟（InP）晶片的制备方法以及制备该{100}磷化铟（InP）晶片的腐蚀液。本发明的{100}磷化铟（InP）晶片背面分布有凹坑，在外延生长中受热均匀，应用效果好。 |
