一种砷化镓晶片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811619886.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111379027B | 公开（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申请公布号 | CN111379027B | 申请公布日 | 2021-03-16 |
| 分类号 | C23C16/30(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I;C30B29/42(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 任殿胜;朱颂义;赵波;王建利;刘岩;崔杨洲;张春宇 | 申请（专利权）人 | 北京通美晶体技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟守期;刘文静 |
| 地址 | 101113北京市通州区工业开发区东二街四号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种砷化镓晶片，所述晶片表面的硫含量低于2×1015原子/cm3，优选低于5×1014原子/cm3，所述晶片表面的硫含量通过本发明说明书实施例中第III部分定义的检测方法进行测定。本发明还涉及所述砷化镓晶片的制备方法，包括以下步骤：1)使用酸或碱溶液对晶片表面进行浸泡清洗；2)对晶片进行化学机械抛光；3)抛光后，使用氧化剂对晶片表面进行氧化；4)对晶片经过碱溶液处理，随后用去离子水清洗；5)对晶片经过SC‑1溶液处理，随后用去离子水清洗；6)干燥所得晶片；7)再次使用氧化剂对晶片表面进行处理；8)氮气或真空包装。 |
