一种垂直霍尔传感器结构
基本信息
| 申请号 | CN202110704155.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113419198A | 公开（公告）日 | 2021-09-21 |
| 申请公布号 | CN113419198A | 申请公布日 | 2021-09-21 |
| 分类号 | G01R33/07（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 梁君 | 申请（专利权）人 | 深圳市海纳微传感器技术有限公司 |
| 代理机构 | 深圳汉世知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 冷仔 |
| 地址 | 518000广东省深圳市龙岗区龙城街道启迪协信科技园4栋8层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请适用于传感器技术领域，特别涉及一种垂直霍尔传感器结构。垂直霍尔传感器结构包括：环状的P阱，位于环状的所述P阱中的N阱，以及所述N阱上交替设置的P型区和N型区，所述P阱和所述N阱之间存在交叠区域。本申请实施例可以提高器件灵敏度。 |
