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半导体封装结构及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110284566.1	申请日	-
公开（公告）号	CN112687656B	公开（公告）日	2021-06-11
申请公布号	CN112687656B	申请公布日	2021-06-11
分类号	H01L23/498;H01L23/482;H01L21/52;H01L21/60	分类	基本电气元件;
发明人	郭丽丽	申请（专利权）人	浙江铖昌科技股份有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	佟婷婷
地址	310010 浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号5幢601室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，结构包括：具有容置凹槽的载片；待键合芯片贴装在容置凹槽中并形成侧壁间隙；侧壁补偿桥接层，连接芯片和载片表面并使侧壁间隙与外界连通；种子层及互联金属层，形成在侧壁补偿桥接层上实现芯片和载片的互联。本发明基于侧壁补偿桥接层的设计，在空腔侧壁和芯片侧壁之间制作桥接，后续制备的RDL在桥面通过。本发明可以解决缝隙难以实现有效填充以及填充存在气泡等问题，防止气泡对后续封装工艺的影响。另外，还可以使芯片表面和载片表面之间形成光滑的曲面，利于后续互联。本发明工艺简单，适合各种厚度的芯片，在保护待键合芯片的同时为后续的种子层连续提供保证，使后续RDL的电镀工艺得以进行。