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低压带隙基准电路及电压发生电路

基本信息

申请号 CN201610825336.0 申请日 -
公开（公告）号 CN107817860A 公开（公告）日 2018-03-20
申请公布号 CN107817860A 申请公布日 2018-03-20
分类号 G05F1/565 分类 控制；调节;
发明人 陈岚;王海永;柳雪晶 申请（专利权）人 中科芯云微电子科技有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 中国科学院微电子研究所;中科芯云微电子科技有限公司
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种低压带隙基准电路，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、运算放大器、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、电阻、第一电容、第二电容、切换组件和使能单元，切换组件接入两相非交叠时钟信号，在Φ1相时钟信号为高电平时，切换组件将第一电容和第二电容并联于第一节点和第二双极型晶体管的发射极之间，在Φ2相时钟信号为高电平时，切换组件将第一电容和第二电容串联于第一节点和接地点之间。本发明公开的低压带隙基准电路，不需要任何两个节点的电压精确相等，因此不需要高增益的运算放大器，能够降低电路的设计难度，并且该电路的功耗很低，适用于低电源电压的应用场合。本发明还公开一种电压发生电路。