一种消除光刻版图形保护集成电路知识产权的酸性胶体及其应用
基本信息
申请号 | CN202010916160.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN112007592A | 公开(公告)日 | 2020-12-01 |
申请公布号 | CN112007592A | 申请公布日 | 2020-12-01 |
分类号 | B01J13/00(2006.01)I | 分类 | 一般的物理或化学的方法或装置; |
发明人 | 陈岚;秦毅;王北辰 | 申请(专利权)人 | 中科芯云微电子科技有限公司 |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 中科芯云微电子科技有限公司 |
地址 | 266101山东省青岛市崂山区松岭路169号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供了一种消除光刻版图形保护集成电路知识产权的酸性胶体及其应用,酸性胶体包括以下组分:质量分数20~40%的稀硫酸溶液94.25~94.45%,气相二氧化硅5.45~5.6%,聚乙烯吡咯烷酮0.04~0.16%和水性聚氨酯0.015~0.025%。该酸性胶体中二氧化硅分子形成了凝胶网络结构,稀硫酸以交联结构存储于其中;聚乙烯吡咯烷酮能提高酸性胶体的凝胶维持时间,SiO2与水性聚氨酯形成紧密的交联结构,提高了凝胶的粘性、凝胶的硬度、拉伸强度,使其直接贴在光刻版的金属面上,静置,即可去除金属图形,达到保护光刻版上图形知识产权的目的。酸性胶体去除金属图形的去除率达到60%以上。 |
