一种晶体生长装置
基本信息
| 申请号 | CN202120780908.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214572359U | 公开（公告）日 | 2021-11-02 |
| 申请公布号 | CN214572359U | 申请公布日 | 2021-11-02 |
| 分类号 | C30B23/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 李帅;李函朔;赵建国 | 申请（专利权）人 | 上海天岳半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京君慧知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 冯妙娜 |
| 地址 | 201306上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号10幢301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种晶体生长装置，其包括：冷却套管，由包括所述冷却套管的组件形成密闭的容纳腔，用于放置晶体生长用的坩埚；所述冷却套管包括第一冷却管和第二冷却管，所述第一冷却管套设在所述第二冷却管的内部，并相互配合以形成用于通入第一冷却水的第一夹层，所述第一夹层的厚度沿所述坩埚底部至开口方向线性增加。该晶体生长装置中的坩埚内部的温度从底部至开口逐渐降低，形成轴向温度梯度；此外，可以实现坩埚内部轴向温度梯度的可调可控，进而控制晶体的生长质量及生长速率；同时，坩埚内所形成的轴向温度梯度更加稳定，可以进一步保证长晶质量。 |
