一种提高晶片质量的反应器及反应装置
基本信息
| 申请号 | CN202121694807.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215800048U | 公开（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申请公布号 | CN215800048U | 申请公布日 | 2022-02-11 |
| 分类号 | C30B29/36（2006.01）I;C30B33/00（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 李加林;李斌;姜岩鹏;刘家朋;张宁 | 申请（专利权）人 | 上海天岳半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京君慧知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 冯妙娜 |
| 地址 | 201306上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号10幢301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种提高晶片质量的反应器及反应装置，属于半导体材料制备技术领域。该反应器包括：晶片托盘，所述晶片托盘的内侧壁上设置有用于放置晶片的凸台；底座和盖体，所述底座设置在所述晶片托盘下方，所述盖体用于盖合所述晶片托盘，所述底座、晶片托盘与盖体之间形成反应腔，所述反应腔内开设有通气孔，反应气体自所述通气孔进入所述反应腔；加热组件，所述加热组件用于加热所述反应腔内的反应气体，以对所述晶片的表面进行处理。反应气体自通气孔进入反应腔，并在加热组件的加热下与晶片表面的碳包裹体反应生成碳化硅，提高晶片表面的质量，减少晶片表面碳包裹体的数量。 |
