一种无须使用光刻机和光刻胶的半导体芯片结构及其工艺方法
基本信息
| 申请号 | CN202110694371.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113437152A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113437152A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 涂波;郑香奕 | 申请（专利权）人 | 深圳市洁简达创新科技有限公司 |
| 代理机构 | 广东合方知识产权代理有限公司 | 代理人 | 许建成 |
| 地址 | 518109广东省深圳市龙华区龙华街道清湖社区清湖村富安娜公司B栋601 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种无须使用光刻机和光刻胶的半导体芯片结构及其工艺方法，本发明无须使用光刻机和光刻胶的半导体芯片结构，包括基板，在基板上依次堆叠设置P型半导体层和N型半导体层，P型半导体层和N型半导体层相间设置，P型半导体层至少为2层，N型半导体层至少为2层。本发明通过化学气相沉积法来堆叠形成P型半导体层和N型半导体层，并且采用物理刻蚀和电浆清洗的方式形成导电层，避免使用掩膜、光阻剂、光刻机来制造半导体芯片，降低了半导体芯片工艺复杂性，提高了半导体芯片产品的良率。 |
