垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111065763.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113506830A | 公开（公告）日 | 2021-10-15 |
| 申请公布号 | CN113506830A | 申请公布日 | 2021-10-15 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘雯娇;杨世红 | 申请（专利权）人 | 陕西亚成微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京前审知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张静;李亮谊 |
| 地址 | 710075陕西省西安市高新区科技二路68号西安软件园汉韵阁A座301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管及制备方法，管中，N型埋层层叠于P型衬底的上表面，N型埋层内注入有N型离子，N型外延层层叠于N型埋层的上表面，N型外延层内设有注入P型离子的P阱，P阱包括背栅P区和分压隔离环P区，背栅P区内分别形成有N+接触区，N+接触区注入有N型离子，栅氧化层层叠于N型外延层的上表面，栅氧化层上形成有多晶硅栅极，中间介质层层叠于栅氧化层及多晶硅栅极上，D端接触孔依次穿通中间介质层、栅氧化层、N型外延层及N型埋层，S端接触孔依次穿通中间介质层、栅氧化层及N+接触区，G端接触孔依次穿通中间介质层与多晶硅栅极。 |
