压力传感器的制作方法以及压力传感器
基本信息
| 申请号 | CN201410285013.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104071744A | 公开（公告）日 | 2014-10-01 |
| 申请公布号 | CN104071744A | 申请公布日 | 2014-10-01 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 杨海波;李忠平 | 申请（专利权）人 | 上海天英微系统科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 孙佳胤 |
| 地址 | 200120 上海市浦东新区郭守敬路351号2号楼A635-15室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种压力传感器的制作方法以及压力传感器。所述方法包括如下步骤：提供一器件衬底；在所述器件衬底的第一表面上依次形成隔离层和器件层；从所述器件衬底的第二表面采用等离子体刻蚀工艺形成具有垂直侧壁蚀坑，至隔离层停止；以所述第二表面为键合面，将所述器件衬底同一支撑衬底键合。本发明的优点在于，采用干法刻蚀做背面蚀坑，比KOH或TMAH背刻工艺制作的芯片面积减小了50%，并且不采用SOI衬底就可以实现自停止工艺，大大地节约了成本。 |
