降低太阳能电池芯片切割效率损耗的方法及光伏组件
基本信息
| 申请号 | CN201810887296.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110808310B | 公开（公告）日 | 2021-08-10 |
| 申请公布号 | CN110808310B | 申请公布日 | 2021-08-10 |
| 分类号 | H01L31/18;B23K26/359 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张伟;胡德政;李沅民;徐希翔 | 申请（专利权）人 | 德运创鑫（北京）科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 | 代理人 | 孟德栋 |
| 地址 | 101149 北京市通州区中关村科技园区通州园金桥科技产业基地环科中路17号26幢1至3层102-LQ307 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种降低太阳能电池芯片切割效率损耗的方法及光伏组件，涉及太阳能电池组件技术领域。本发明提供了一种降低太阳能电池芯片切割效率损耗的方法，依次包括如下步骤：S1以硅片为衬底制作太阳能电池芯片，其中包括：使用第一激光对硅片划线；S2第二激光裂片：将步骤S1制作所得的太阳能电池芯片以第二激光裂片。通过第一激光划线和第二激光裂片配合，不需扳片，有效切割电池芯片且碎片率低；激光划刻的步骤设置于电池芯片制作过程中，电池芯片的制作还未完成，经过第一激光划刻，降低划刻及后续切割对电池芯片造成的损伤，从而降低切割效率损耗。 |
