一种半导体晶圆表面研磨保护片
基本信息
| 申请号 | CN202020070363.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212527324U | 公开（公告）日 | 2021-02-12 |
| 申请公布号 | CN212527324U | 申请公布日 | 2021-02-12 |
| 分类号 | B24B37/34(2012.01)I;B24B55/00(2006.01)I | 分类 | 磨削；抛光; |
| 发明人 | 武玄庆;李朝发;朱天 | 申请（专利权）人 | 苏州东福电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 苏州大智知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王军 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市吴中区东山镇凤凰山路11号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种半导体晶圆表面研磨保护片，包含基材；所述基材上设置有中间层；所述中间层上设置有表面黏着层；所述基材由聚酯类、聚醯胺类材料制成，所述基材的厚度为1‑1000um；所述中间层为一种热塑性的固体高分子聚合物，其维卡软化点温度测试，按ASTM D1525标准在0.45MPa施加压力下软化温度为50‑80℃；所述表面黏着层由丙烯酸类或聚氨酯类聚合物及其共聚物制成；本实用新型所述的半导体晶圆表面研磨保护片在半导体晶圆研磨时提供良好的凹凸吸收保护，防止损坏半导体晶圆。 |
