一种硅基异质结电池片及其TiNx阻挡层的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510442598.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106356418B | 公开（公告）日 | 2018-05-04 |
| 申请公布号 | CN106356418B | 申请公布日 | 2018-05-04 |
| 分类号 | H01L31/072;H01L31/028;H01L31/20 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄辉明;宋广华;罗骞 | 申请（专利权）人 | 钧石（中国）能源有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 362000 福建省泉州市鲤城区常泰街道仙塘社区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种硅基异质结电池片及其TiNx阻挡层的制备方法，包括：在N型硅衬底正面沉积本征非晶硅层及P型非晶硅薄膜层，反面沉积本征非晶硅层及N型非晶硅薄膜层的硅片；在所述P型非晶硅薄膜层及N型非晶硅薄膜层上沉积透明导电氧化物薄膜；在所述透明导电氧化物薄膜采用低温磁控溅射法沉积TiNx阻挡层。本发明增加了Cu与透明导电氧化物薄膜层的附着力，有利于后续异质结太阳能电池的封装，还可以有效的阻挡铜的扩散，非电极栅线区域的TiNx阻挡层易于被溶液腐蚀，且TiNx阻挡层电阻率低、厚度易控制。 |
