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一种异质结太阳能电池的硅片处理方法

基本信息

申请号	CN201610150143.X	申请日	-
公开（公告）号	CN107204388A	公开（公告）日	2017-09-26
申请公布号	CN107204388A	申请公布日	2017-09-26
分类号	H01L31/18(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	庄辉虎;林锦山;宋广华;杨与胜;王树林	申请（专利权）人	钧石（中国）能源有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	362000 福建省泉州市鲤城区常泰街道仙塘社区
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种异质结太阳能电池的硅片处理方法，包括如下步骤：先对硅片进行去损伤处理；再对硅片进行退火处理，诱发金属杂质及晶体缺陷向表面位移在硅片形成洁净区；然后让硅片进行两面制绒处理，形成金字塔绒面；再进行化学清洗，去除化学氧化层和表面残余，并钝化硅片表面；最后将硅片进行二次退火处理，通过氢促进硅片中氧外扩，让硅片表面形成负氧区。本发明采用腐蚀性溶液对硅片表面进行腐蚀，去除掉表面的机械损伤层后，放入常压空气中快速退火，诱发金属杂质及晶体缺陷向表面位移形成洁净区，然后化学制绒和清洗后再次放入高纯氢气中二次退火，利用氢促进硅中氧外扩，使得硅片表面形成负氧区，有效的去除了硅片表面的金属杂质及改善了氧含量。