一种太阳能电池金属栅线制备过程中去除掩膜层的方法

基本信息

申请号 CN201510872715.0 申请日 -
公开(公告)号 CN106816498A 公开(公告)日 2017-06-09
申请公布号 CN106816498A 申请公布日 2017-06-09
分类号 H01L31/20(2006.01)I;H01L31/0747(2012.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 尤宇文;宋广华;罗骞 申请(专利权)人 钧石(中国)能源有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 362000 福建省泉州市鲤城区常泰街道仙塘社区
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种太阳能电池金属栅线制备过程中去除掩膜层的方法,包括步骤如下:在n型硅衬底一面沉积本征非晶硅层及n型非晶硅层,另一面沉积本征非晶硅层及p型非晶硅层,并在n型非晶硅层和p型非晶硅层上沉积透明导电氧化物薄膜,在所述透明导电氧化物层上沉积阻挡层;在所述阻挡层上沉积种子层;在种子层上覆一层掩膜层,将掩膜层经过曝光显影后形成金属栅线图案;采用电镀方式,对图案区域进行电镀铜、电镀锡,形成金属栅线;通过工装携带电池片,进入去膜室,去除栅线外的掩膜层,接着进入蚀刻室,腐蚀去除其覆盖位置的种子层和阻挡层,暴露出电池表面。