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具有场板结构的HEMT器件及其制备方法

基本信息

申请号 CN201911359911.2 申请日 -
公开（公告）号 CN113035943A 公开（公告）日 2021-06-25
申请公布号 CN113035943A 申请公布日 2021-06-25
分类号 H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335 分类 基本电气元件;
发明人 王黎明;肖霞;何雍春 申请（专利权）人 华润微电子（重庆）有限公司
代理机构 上海光华专利事务所（普通合伙） 代理人 贺妮妮
地址 401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种具有场板结构的HEMT器件及其制备方法，该结构包括：HEMT器件及设置于栅电极与漏电极之间的源场板及浮空场板，且源场板靠近栅电极，浮空场板靠近漏电极，源场板与源极互连金属结构等电位电连接。通过设置源场板及浮空场板组成HEMT器件栅电极与漏电极之间的复合场板结构，将原本位于栅电极边缘和漏电极边缘的电场集中点转移至源场板及浮空场板之间的绝缘层中，优化了整个HEMT器件内部的电场分布，使电场变化梯度更舒缓，提高了器件的击穿电压。另外还避免了源场板直接延伸覆盖栅电极引入额外的寄生电容。最后，源极互连金属层、漏极互连金属层、源场板及浮空场板同时形成，不需要增加额外工艺步骤。