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一种分裂栅型沟槽MOS器件及其制备方法

基本信息

申请号 CN201911378546.X 申请日 -
公开（公告）号 CN113053738A 公开（公告）日 2021-06-29
申请公布号 CN113053738A 申请公布日 2021-06-29
分类号 H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 分类 基本电气元件;
发明人 张雪;李雪梅;桑雨果 申请（专利权）人 华润微电子（重庆）有限公司
代理机构 上海光华专利事务所（普通合伙） 代理人 余明伟
地址 401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种分裂栅型沟槽MOS器件及其制备方法，包括如下步骤：1）提供一半导体衬底；2）利用第一掩膜板形成多个沟槽，并形成第一氧化层，于沟槽内沉积源极多晶硅；3）利用第二掩膜板定义出有源区和终端区，并于终端区的半导体衬底表面沉积光阻层，刻蚀所述第一氧化层，于沟槽中形成开口，去除所述光阻层以及第一氧化层；4）于开口形成第二氧化层，并沉积栅极多晶硅；5）于半导体衬底中形成体区，并利用第三掩膜板形成源区；6）沉积介质层，并利用第四掩膜板形成电极接触孔；7）沉积金属层，利用第五掩膜板分离源极电极和终端电极。本发明的提供的分裂栅型沟槽MOS器件的制备方法，通过节省光刻制程，简化了工艺。