沟槽型场效应晶体管结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911400665.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113130633A | 公开（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申请公布号 | CN113130633A | 申请公布日 | 2021-07-16 |
| 分类号 | H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姚鑫;焦伟;骆菲;冉英 | 申请（专利权）人 | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 佟婷婷 |
| 地址 | 401331重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种场效应晶体管结构及制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，生长外延层，形成第一沟槽、第二沟槽，制备屏蔽介质层、屏蔽栅层、屏蔽栅隔离层、栅介质层、栅极层、引出栅第一介质层、第一引出栅层、引出栅隔离层、引出栅第二介质层以及第二栅层，形成体区和源极，制备源极接触孔、引出栅接触孔，制备源极金属引出结构及引出栅电极结构。本发明将栅极引出结构制备在器件区之外的区域，可以制备较宽的第二沟槽，无需增加光罩，可制备较厚的第二引出栅层（如栅极多晶硅）和外延层之间引出栅第二介质层（如氧化层），满足器件击穿电压需求。 |
