屏蔽栅沟槽场效应晶体管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911359896.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113035715A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113035715A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/28;H01L23/552;H01L29/423;H01L29/786 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 宋勇;李雪梅;张雪 | 申请（专利权）人 | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 贺妮妮 |
| 地址 | 401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管及其制备方法，该方法主要包括：提供一衬底，于衬底的上表面形成外延层，于外延层中形成深沟槽，于深沟槽的内壁形成屏蔽氧化层、屏蔽多晶硅、第一隔离氧化层及第二隔离氧化层，并使第一隔离氧化层的致密度大于第二隔离氧化层的致密度；湿法刻蚀去除第二隔离氧化层和部分第一隔离氧化层及屏蔽氧化层，使屏蔽氧化层的上表面与深沟槽的侧壁呈钝角；于深沟槽的内壁形成栅氧化层、栅极多晶硅；形成场效应晶体管的其他结构。该方法可有效提高栅氧化层的反向耐压能力，同时不会对场效应晶体管的其他工作参数产生影响；另外，本发明的制备方法，工艺制造上易于实现和量产。 |
