一种功率器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201911338281.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113097300A | 公开（公告）日 | 2021-07-09 |
| 申请公布号 | CN113097300A | 申请公布日 | 2021-07-09 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈雪萌;王艳颖;杨林森 | 申请（专利权）人 | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘星 |
| 地址 | 401331重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种功率器件及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一包括第一导电类型外延层的基板；形成第一导电类型阱区于所述第一导电类型外延层中；形成第一栅极结构与第二栅极结构于所述第一导电类型外延层上；形成分立设置的且均为第二导电类型的第一、第二及第三体区于所述第一导电类型外延层中，所述第一导电类型阱区与所述第二体区构成PN结；形成第一导电类型的第一源区于所述第一体区中，形成第一导电类型的第二源区于所述第三体区中。本发明的功率器件及其制作方法在有源区形成与所述第一导电类型外延层相同导电类型的深阱，使器件的击穿点改变，避开元胞区固有的寄生双极晶体管区，大大提高了器件的雪崩耐量，增加了器件的可靠性。 |
