一种沟槽型功率器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201911357317.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113035714A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113035714A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L27/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈雪萌;杨林森;王艳颖 | 申请（专利权）人 | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘星 |
| 地址 | 401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种沟槽型功率器件及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一自下而上依次包括第一导电类型重掺杂层及第一导电类型轻掺杂外延层的基板；形成元胞区沟槽及终端区沟槽于轻掺杂外延层中；形成栅介质层于沟槽的侧壁与底面及轻掺杂外延层的顶面；形成多晶硅层以填充进元胞区沟槽及终端区沟槽，并对多晶硅层进行第二导电类型掺杂；刻蚀多晶硅层直至多晶硅层与轻掺杂外延层顶面齐平，得到元胞区沟槽栅及终端区沟槽多晶硅；对元胞区沟槽栅及终端区沟槽多晶硅进行第一导电类型掺杂；形成体区于轻掺杂外延层中；形成源区于体区中。本发明采用沟槽型终端，可以采用较高的能量进行体区注入，使器件具有更加稳定的阈值电压和击穿电压。 |
