一种半导体结构及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201911251882.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113035688A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113035688A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曹兴旺;杜丽;黄盛境 | 申请（专利权）人 | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘星 |
| 地址 | 401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该制作方法包括以下步骤提供一晶圆，所述晶圆包括用于形成半导体器件的正面和相对于所述正面的背面，在所述晶圆背面生长有掺杂多晶硅层，所述晶圆具有第一翘曲度；去除所述掺杂多晶硅层，使所述晶圆具有第二翘曲度，所述第二翘曲度小于所述第一翘曲度。本发明通过在晶圆背面减少一层多晶硅膜层，可以改善晶圆拉伸方向的翘曲度变化。并且可以在去除晶圆背面的多晶硅膜层之后，进一步形成二氧化硅层于晶圆背面，在晶圆总厚度不增加，甚至有所减少的情况下，可以进一步改善晶圆拉伸方向的翘曲度变化，并避免晶圆厚度增加带来的不良影响。晶圆翘曲度的改善使得后续制程可以顺利进行，有利于提高生产良率。 |
