太阳能电池的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201710309326.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108831953B | 公开（公告）日 | 2021-04-27 |
| 申请公布号 | CN108831953B | 申请公布日 | 2021-04-27 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L31/068 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何川;金光耀;陈炯 | 申请（专利权）人 | 上海凯世通半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海弼兴律师事务所 | 代理人 | 薛琦 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼单元1 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种太阳能电池的制作方法，包括：步骤S1：在该第一导电类型衬底的一表面上形成氧化层；步骤S2：在该氧化层上形成多晶硅或非晶硅；步骤S3：采用第二导电类型掺杂元素对该多晶硅或非晶硅进行选择性掺杂以形成重掺杂区和轻掺杂区；步骤S4：热处理步骤S3所得的结构，使得非晶硅转化为多晶硅；步骤S5：采用碱性试剂选择性蚀刻步骤S4所得的多晶硅；步骤S6：在重掺杂区上形成电极。本发明通过选择性掺杂多晶硅，使得金属形成于较厚的多晶硅上，由此降低了金属和半导体接触的复合，同时较薄的多晶硅则用于透光，实现了钝化效果和透光的平衡。 |
