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N型太阳能电池的制作方法

基本信息

申请号 CN201810769869.0 申请日 -
公开（公告）号 CN110718607A 公开（公告）日 2020-01-21
申请公布号 CN110718607A 申请公布日 2020-01-21
分类号 H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 分类 基本电气元件;
发明人 陈炯;何川 申请（专利权）人 上海凯世通半导体股份有限公司
代理机构 上海弼兴律师事务所 代理人 上海凯世通半导体股份有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼单元1
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种N型太阳能电池的制作方法，包括：对N型硅衬底进行双面制绒；对N型硅衬底背面进行抛光；在N型硅衬底背面形成第一氧化物层；在该第一氧化物层上形成N型多晶硅层；在该N型硅衬底正面形成第二氧化物层，该第二氧化物层的能带带隙大于3eV，功函数大于5eV；在该第二氧化物层上形成第三氧化物层，第三氧化物层电阻率小于5e10‑4欧姆·厘米；在N型硅衬底正面形成栅状的正面电极以及在背面形成背面电极。本发明在TOPCon电池的正面采用高带隙高功函数的材料，形成空穴选择性接触，减小或避免TOPCon电池的正面金属电极和半导体接触处的少子复合。