一种利用绝缘边保护层来制备N型电池的方法
基本信息
| 申请号 | CN202011123637.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112151641A | 公开（公告）日 | 2020-12-29 |
| 申请公布号 | CN112151641A | 申请公布日 | 2020-12-29 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L31/068 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘阳;吴家宏;张凯胜;孙铁囤;姚伟忠;胡琴;尹伟平 | 申请（专利权）人 | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 常州市英诺创信专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 地址 | 213213 江苏省常州市金坛区尧塘镇金武路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种利用绝缘边保护层来制备N型电池的方法。具体的步骤包括以下：(1)选择N型的单晶硅片，经过清洗制绒、硼扩散、去BSG；(2)利用滚筒传输装置，将介电层膜均匀的涂抹在硅片的边缘；(3)利用扩散进行磷扩散前或LPCVD沉积多晶硅前，利用高温将介电层与硅片进行微烧结；(4)脱胶，利用HF将绝缘的介电层及沉积在介电层上的磷一起进行剥离；(5)RCA去PSG层或多晶硅层绕镀后、正面进行AlOx、SiNx钝化，背面进行SiNX钝化(6)正面印刷银浆后进行烧结。该方法可有效解决N型硅片的边缘漏电问题。 |
