一种局部硼激光掺杂背钝化太阳能电池的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011123642.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112164735A | 公开（公告）日 | 2021-01-01 |
| 申请公布号 | CN112164735A | 申请公布日 | 2021-01-01 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张凯胜;刘阳;吴家宏;孙铁囤;姚伟忠;刘明;陈佳乐;方辉 | 申请（专利权）人 | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 常州市英诺创信专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 地址 | 213213江苏省常州市金坛区尧塘镇金武路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种局部硼激光掺杂背钝化太阳能电池的制备方法，包括以下的步骤：(1)选择P型的单晶硅片，经过清洗制绒、扩散、SE、洗磷、ALD、退火、正面SiNx钝化、背面SiNx钝化；(2)在背面钝化层利用激光开孔；(3)在背面激光开孔区域印刷含有硼源的铝浆浆料；(4)利用激光二次对含有硼源的铝浆浆料的区域进行二次推结，在背面形成P++层；(5)正面印刷银浆后进行烧结，制程局部硼激光掺杂背钝化太阳能电池。该方法可降低背面的表面复合，降低电子传输的横向电阻，从而提升了电池片的电压电流及填充，增加了电池片的光电转换效率，可有效改善背面印刷的良率问题，不需二次印刷铝浆可节省二次印刷铝浆、烘干等成本。 |
