一种MoS2/MoSe2异质结薄膜及其制备方法与应用
基本信息
| 申请号 | CN202011574098.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112687760A | 公开（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申请公布号 | CN112687760A | 申请公布日 | 2021-04-20 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/109(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 彭陈阳;刘富德;郑大伟;古元;熊汉琴 | 申请（专利权）人 | 清远道动新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 颜希文 |
| 地址 | 511500广东省清远市清远高新区创业一路6号A2栋8层801-1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种MoS2/MoSe2异质结薄膜的制备方法，涉及半导体薄膜制备技术和新能源开发的领域。所述制备方法，包括如下步骤：(1)反应前驱液的制备：在溶剂中加入还原性试剂，搅拌至溶解；溶解后，依次加入硫源、钼源、硒源，搅拌至溶解，混合均匀后，得到反应前驱液；(2)基片衬底的前期表面处理：将基片衬底进行切割，切割后进行超声清洗，再浸泡清洗，清洗完成后进行干燥处理；(3)溶剂热反应：将步骤(2)中经过前期表面处理的基片衬底，与步骤(1)中得到的反应前驱液接触，进行溶剂热反应，得到沉积有MoS2/MoSe2异质结薄膜的基片；(4)将步骤(3)中得到的沉积有MoS2/MoSe2异质结薄膜的基片，进行清洗、真空干燥，得到所述MoS2/MoSe2异质结薄膜。 |
