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一种用于GaN HEMT芯片生产中通孔的刻蚀方法

基本信息

申请号	CN201710075356.5	申请日	-
公开（公告）号	CN106910711A	公开（公告）日	2017-06-30
申请公布号	CN106910711A	申请公布日	2017-06-30
分类号	H01L21/768;H01L21/335;H01L21/3065;H01L21/3213	分类	基本电气元件;
发明人	孙丞;杨荣;李宝国;张达泉;张书敬;韩威;马京路	申请（专利权）人	苏州本然微电子有限公司
代理机构	北京中济纬天专利代理有限公司	代理人	苏州本然微电子有限公司;河北远东通信系统工程有限公司
地址	215000 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园4-B403单元
法律状态	-

摘要

本发明涉及GaN HEMT芯片生产制造领域，特别是涉及一种用于GaN HEMT芯片生产中通孔的刻蚀方法，包括如下步骤：(1)在SiC衬底背面，溅射或者蒸发第一层易腐蚀金属；(2)在SiC衬底背面进行通孔图形光刻，采用腐蚀液浸泡晶圆，去除通孔中的第一层易腐蚀金属，随后去除晶圆表面的光刻胶；(3)在第一层易腐蚀金属的正面，电镀第二层易腐蚀金属，将整个金属层加厚；(4)使用等离子刻蚀通孔，直到刻蚀完SiC衬底，露出正面源电极；(5)使用腐蚀液将所述第一层易腐蚀金属和第二层易腐蚀金属腐蚀掉。本发明采用金属作为刻蚀的阻挡层，可以有效地阻挡等离子体的轰击刻蚀，为GaN HEMT器件结构设计提供更多可能性。