环形MOCVD反应器结构及III-V族化合物半导体材料生产系统
基本信息
| 申请号 | CN202023045467.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213925126U | 公开（公告）日 | 2021-08-10 |
| 申请公布号 | CN213925126U | 申请公布日 | 2021-08-10 |
| 分类号 | C30B25/12;C30B25/08;C30B25/10;C30B29/40;C30B25/14;C23C16/30;C23C16/458;C23C16/46;C23C16/44;C23C16/455 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王国斌;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 赵世发 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种环形MOCVD反应器结构及III‑V族化合物半导体材料生产系统。所述环形MOCVD反应器结构包括具有多边形径向截面的反应腔体和设置于所述反应腔体内的多边形中心棱柱，所述反应腔体的内壁与多边形中心棱柱的外壁之间形成有可供反应流体通过的多边环形流道，所述反应腔体的每一侧内壁上均分布有至少一个安装槽，所述安装槽内还设置有多个支撑台阶，所述多个支撑台阶分别与多个不同尺寸的衬底相适配，所述支撑台阶作用于所述衬底的底部表面，至少在所述安装槽的外侧还设置有便于取出衬底的让位槽。本实用新型提供的反应器结构中反应腔体和多边形中心棱柱均为石墨构件，具有均匀性更好、衬底利用率更高，且易于维护、部件更换成本更低等优势。 |
