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Micro-LED垂直芯片结构及光学组件

基本信息

申请号	CN202023213119.7	申请日	-
公开（公告）号	CN213583790U	公开（公告）日	2021-06-29
申请公布号	CN213583790U	申请公布日	2021-06-29
分类号	H01L27/15（2006.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	毕文刚;王国斌;徐科	申请（专利权）人	江苏第三代半导体研究院有限公司
代理机构	南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	王锋
地址	215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种Micro‑LED（微型发光二极管）垂直芯片结构及光学组件。所述Micro‑LED垂直芯片结构包括外延结构，该外延结构包括沿设定方向依次设置的第一半导体层、有源区和第二半导体层；该第一、二半导体层分别与第一、二电极配合，该第一电极分布于第一半导体层周围且与第一半导体层的侧壁形成电性接触。本实用新型的micro‑LED垂直芯片结构通过采用侧壁电极结构，可以避免因电极设置在出光面上而对LED芯片所发光的吸收，增加器件发光效率，同时还可以起到光反射的作用，从而进一步提高器件的光提取效率和亮度，并且还可以减少各芯片之间的光串扰，避免色坐标偏移，提高显示色纯度，以及，还可以使芯片尺寸得以进一步缩小，提高显示分辨率。