高电子迁移率晶体管外延结构及高电子迁移率晶体管
基本信息
| 申请号 | CN202023053468.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213459745U | 公开（公告）日 | 2021-06-15 |
| 申请公布号 | CN213459745U | 申请公布日 | 2021-06-15 |
| 分类号 | H01L29/778（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王国斌;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 赵世发 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种高电子迁移率晶体管外延结构及高电子迁移率晶体管。所述高电子迁移率晶体管外延结构包括在N面极性的半绝缘GaN衬底上依次形成的界面处理层、势垒层、隔离层、沟道层和接触层，其中，至少所述界面处理层与所述势垒层接触的表面还具有多个纳米级图形结构，且所述纳米级图形结构与所述界面处理层为同质结构。本实用新型提供的高电子迁移率晶体管外延结构具有更高的频率特性；以及，GaN衬底以及半绝缘特性能够通过前期制备完成，可以避免后期生长高阻外延层带来的不利影响；并且同质外延不存在异质衬底上高密度位错缓冲层的问题，在外延前进行适当的界面处理，可完全阻断漏电通道的产生。 |
