发光二极管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010143181.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111554782B | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN111554782B | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王国斌;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 代理机构 | 上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 孙佳胤 |
| 地址 | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种发光二极管，包括自支撑衬底层，以及所述自支撑衬底表面的n型半导体层、发光层、以及p型半导体层，所述发光层包括电子扩展层、超晶格有源区、和空穴增强层。上述结构能够提高在小电流密度下的出光效率。 |
