用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底及氮化镓外延结构
基本信息
| 申请号 | CN202023061674.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213459739U | 公开（公告）日 | 2021-06-15 |
| 申请公布号 | CN213459739U | 申请公布日 | 2021-06-15 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I;H01L29/30（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王国斌;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 赵世发 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底及氮化镓外延结构。所述用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底包括衬底和形成在衬底表面的氮化铝缓冲层，所述氮化铝缓冲层的表面分布有多个孔洞。本实用新型实施例提供的一种用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底，结构简单且可以实现原位生长。本实用新型实施例提供的一种用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底能够实现在低螺型位错下减少刃型位错，同时可以进一步降低氮化镓外延结构的位错密度。 |
