一种磁控溅射装置及磁控溅射系统
基本信息
| 申请号 | CN201621197024.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN206273836U | 公开（公告）日 | 2017-06-23 |
| 申请公布号 | CN206273836U | 申请公布日 | 2017-06-23 |
| 分类号 | C23C14/35;C23C14/54 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 徐兴;李泽宇;周媛;魏志英 | 申请（专利权）人 | 广汉川冶新材料有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京超凡志成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李佳 |
| 地址 | 618000 四川省德阳市广汉市新丰镇古城村九社 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种磁控溅射装置及磁控溅射系统，属于半导体制备领域。该磁控溅射装置包括壳体，壳体内设置有磁靶、靶材组件、用于安装基材的炉盘和用于调整靶材组件与基材之间的磁场强度的缓冲组件。磁靶固定于壳体的内壁并用于提供磁场，炉盘设置于壳体的内壁并用于安装基材，靶材组件设置于磁靶并与炉盘相对设置。缓冲组件设置于靶材组件和磁靶之间，缓冲组件包括驱动装置和至少两个依次叠放的调整板，每个调整板通过驱动装置移入或移出工作区域。这种磁控溅射装置和磁控溅射系统，能够通过缓冲组件有效的解决了现有的通过手动方式调节磁场强度的精度不高的问题，提高生产效率及半导体薄膜的质量。 |
